型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: TO-220FP N-CH 650V 6.6A629510-99￥6.7800100-499￥6.4410500-999￥6.21501000-1999￥6.20372000-4999￥6.15855000-7499￥6.10207500-9999￥6.0568≥10000￥6.0342 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能63955-49￥19.305050-199￥18.4800200-499￥18.0180500-999￥17.90251000-2499￥17.78702500-4999￥17.65505000-7499￥17.5725≥7500￥17.4900 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3GXKSA1, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装65495-49￥14.917550-199￥14.2800200-499￥13.9230500-999￥13.83381000-2499￥13.74452500-4999￥13.64255000-7499￥13.5788≥7500￥13.5150 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPA04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V571110-99￥6.6120100-499￥6.2814500-999￥6.06101000-1999￥6.05002000-4999￥6.00595000-7499￥5.95087500-9999￥5.9067≥10000￥5.8847 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能95795-24￥3.132025-49￥2.900050-99￥2.7376100-499￥2.6680500-2499￥2.62162500-4999￥2.56365000-9999￥2.5404≥10000￥2.5056 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPA086N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.7 V21805-24￥1.809025-49￥1.675050-99￥1.5812100-499￥1.5410500-2499￥1.51422500-4999￥1.48075000-9999￥1.4673≥10000￥1.4472 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPA032N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V60605-49￥13.419950-199￥12.8464200-499￥12.5252500-999￥12.44501000-2499￥12.36472500-4999￥12.27295000-7499￥12.2156≥7500￥12.1582 -
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品类: MOS管描述: 酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor418510-99￥9.5040100-499￥9.0288500-999￥8.71201000-1999￥8.69622000-4999￥8.63285000-7499￥8.55367500-9999￥8.4902≥10000￥8.4586 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能50015-24￥5.953525-49￥5.512550-99￥5.2038100-499￥5.0715500-2499￥4.98332500-4999￥4.87315000-9999￥4.8290≥10000￥4.7628 -
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品类: MOS管描述: TO-220FP N-CH 60V 69A77155-24￥3.807025-49￥3.525050-99￥3.3276100-499￥3.2430500-2499￥3.18662500-4999￥3.11615000-9999￥3.0879≥10000￥3.0456 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPA03N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V70405-24￥2.038525-49￥1.887550-99￥1.7818100-499￥1.7365500-2499￥1.70632500-4999￥1.66865000-9999￥1.6535≥10000￥1.6308 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能612210-99￥10.6800100-499￥10.1460500-999￥9.79001000-1999￥9.77222000-4999￥9.70105000-7499￥9.61207500-9999￥9.5408≥10000￥9.5052 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4L03AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装624310-99￥7.5360100-499￥7.1592500-999￥6.90801000-1999￥6.89542000-4999￥6.84525000-7499￥6.78247500-9999￥6.7322≥10000￥6.7070 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P4L04ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装890410-99￥9.8640100-499￥9.3708500-999￥9.04201000-1999￥9.02562000-4999￥8.95985000-7499￥8.87767500-9999￥8.8118≥10000￥8.7790 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能651210-99￥9.2880100-499￥8.8236500-999￥8.51401000-1999￥8.49852000-4999￥8.43665000-7499￥8.35927500-9999￥8.2973≥10000￥8.2663 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上32645-49￥32.947250-199￥31.5392200-499￥30.7507500-999￥30.55361000-2499￥30.35652500-4999￥30.13125000-7499￥29.9904≥7500￥29.8496 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC042NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.1 V648310-99￥9.0960100-499￥8.6412500-999￥8.33801000-1999￥8.32282000-4999￥8.26225000-7499￥8.18647500-9999￥8.1258≥10000￥8.0954 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC036NE7NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V78675-24￥4.995025-49￥4.625050-99￥4.3660100-499￥4.2550500-2499￥4.18102500-4999￥4.08855000-9999￥4.0515≥10000￥3.9960 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP034NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 3.1 V62741-9￥39.491410-99￥37.2255100-249￥35.5423250-499￥35.2833500-999￥35.02431000-2499￥34.73302500-4999￥34.4741≥5000￥34.3122 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP052NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0047 ohm, 10 V, 3.1 V125210-99￥6.3000100-499￥5.9850500-999￥5.77501000-1999￥5.76452000-4999￥5.72255000-7499￥5.67007500-9999￥5.6280≥10000￥5.6070 -
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品类: MOS管描述: OptiMOSTM3电源晶体管特性的优化技术，同步整流 OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Optimized technology for synchronous rectification70265-24￥4.806025-49￥4.450050-99￥4.2008100-499￥4.0940500-2499￥4.02282500-4999￥3.93385000-9999￥3.8982≥10000￥3.8448 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀882610-99￥7.4520100-499￥7.0794500-999￥6.83101000-1999￥6.81862000-4999￥6.76895000-7499￥6.70687500-9999￥6.6571≥10000￥6.6323 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP023NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.1 V23675-49￥15.490850-199￥14.8288200-499￥14.4581500-999￥14.36541000-2499￥14.27272500-4999￥14.16685000-7499￥14.1006≥7500￥14.0344 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GXKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装205810-99￥7.3920100-499￥7.0224500-999￥6.77601000-1999￥6.76372000-4999￥6.71445000-7499￥6.65287500-9999￥6.6035≥10000￥6.5789 -
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品类: MOS管描述: DirectFET® 功率 MOSFET，Infineon **DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。 在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低，尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型，仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。74465-49￥14.601650-199￥13.9776200-499￥13.6282500-999￥13.54081000-2499￥13.45342500-4999￥13.35365000-7499￥13.2912≥7500￥13.2288 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML0100TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V263820-49￥0.432050-99￥0.4000100-299￥0.3840300-499￥0.3712500-999￥0.36161000-4999￥0.35525000-9999￥0.3488≥10000￥0.3424 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 25 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.9 V86925-24￥2.106025-49￥1.950050-99￥1.8408100-499￥1.7940500-2499￥1.76282500-4999￥1.72385000-9999￥1.7082≥10000￥1.6848 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF6716MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 25 V, 0.0012 ohm, 10 V, 1.9 V 新101710-99￥11.5320100-499￥10.9554500-999￥10.57101000-1999￥10.55182000-4999￥10.47495000-7499￥10.37887500-9999￥10.3019≥10000￥10.2635 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF6644TR1PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 100 V, 0.0103 ohm, 10 V, 2.8 V141310-99￥10.2240100-499￥9.7128500-999￥9.37201000-1999￥9.35502000-4999￥9.28685000-7499￥9.20167500-9999￥9.1334≥10000￥9.0994 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFET OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能3572
